061221_03 ハイニックス・セミコンダクター

061221_03
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
12月21日	061221_03	ハイニックス・セミコンダクター	半導体集積回路	メモリー	パソコン・OA機器・LAN用

線幅60ナノメートルの微細プロセスを使った動作周波数800メガヘルツの世界最速DRAMチップ

　【ソウル支局】韓国のハイニックス・セミコンダクターが、動作周波数８００メガヘルツの世界最速ＤＲＡＭチップを開発した。米インターネット・メディアのテックワールドニューズが報じた。

　同チップは、線幅６０ナノメートル（ナノは１０億分の１）の微細プロセス技術を使って生産。容量は１ギガバイト。１層、３Ｄアーキテクチャをベースとしたトリプルメタル設計によるハイニックスの最新ＤＲＡＭは、０７年上半期にＤＤＲ２モジュールで提供する予定。