060912_04 サムスン電子

060912_04
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
9月12日	060912_04	サムスン電子	半導体集積回路	メモリー	デジタル情報家電用

CTF技術を使った３２ギガビットNANDフラッシュメモリと512メガビットPRAM

　【ソウル支局】韓国のサムスン電子は１１日、フラッシュメモリー製造のための画期的新技術「チャージ・トラップ・フラッシュ（ＣＴＦ）」と、次世代不揮発性メモリーといわれる５１２メガビットの「ＰＲＡＭ」（相変化式随時書き込み読み出しメモリー）を開発したと発表した。

　同社の半導体事業、黄昌圭ＣＥＯは記者会見の席で「ＣＴＦは、記憶素子の回路でこれまで主流だった浮遊ゲートに代わるもので、フラッシュメモリーチップ業界の新時代の幕開けを予兆する技術」と紹介。サムスンでは同技術を活用することで、回路線幅４０ナノメートル（ナノは１０億分の１メートル）という先進プロセス技術を使った世界最大容量、３２ギガビットのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを製造することに成功した。

　３２ギガビットのＮＡＮＤ型フラッシュを使用すると、６４ギガバイトのメモリーカード、３２ギガバイトのＭＰ３プレヤー、１２８ギガバイトのＳＳＤ（ソリッドステートディスク）の生産が可能になる。サムスンは、０８年に３２ギガビットＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの量産に着手。１０年には同製品の売上げ規模は５００億ドルに達すると期待している。

　一方のＰＲＡＭは、他のメモリー・アーキテクチャに比べて拡張性に優れ、処理速度が格段に速いことが特徴だ。以前蓄積したデータを消去せずに、新たなデータの書き込みができるため、従来のフラッシュメモリーに比べ処理速度が大幅に向上。また、耐久性にも優れ、寿命はフラッシュメモリーの１０倍以上という。