060607_04 東芝/NEC

060607_04

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
6月7日	060607_04	東芝/NEC	半導体集積回路	メモリー	パソコン・OA機器・LAN用

256メガビット級の大容量MRAM　(不揮発性磁気メモリ）に必要な基盤技術

　東芝とＮＥＣは６日、共同開発中の次世代メモリーの一つとして注目されているＭＲＡＭ（不揮発性磁気メモリー）で、２５６メガビット級の大容量化に必要な基盤技術を確立したと発表した。

　これは、ＭＴＪ（磁気抵抗）素子の形状や、構造の最適化による誤書き込み防止技術、配線構成の改良と電流駆動の最適化により、低電圧動作・　高速書き込みを実現する回路技術、およびＭＲＡＭの微細加工に必要な磁性体のエッチング技術など、実用化に必要な技術の開発に成功したもの。

　書き込みの制御性を高めるプロペラ型ＭＴＪ素子形状を開発するとともに、要素技術を統合した１６メガビットチップを用いて、２５６メガビットまで高集積化した場合でも動作することを検証したほか、書き込み電流値も、世界最小の約４ミリアンペアに低減した。

　両社は、０２年度からＭＲＡＭの共同開発を開始、０３年度からはＮＥＤＯ（新エネルギー・産業技術総合開発機構）の助成を受け、0.13マイクロメートルＣＭＯＳ技術と、0.25マイクロメートル強磁性体トンネル接合技術を用いて、２５６メガビット級ＭＲＡＭ実現のための基盤技術の構築を目指していた。

　今後は、さらなる大容量化や高速化に向けたＭＲＡＭの開発を進めるとしている。