060315_06サムスン電子

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日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
3月15日	060315_06	サムスン電子	半導体集積回路	メモリー	パソコン・OA機器・LAN用

80ナノ加工技術を利用したDDR2 DRAM

【ソウル支局】韓国サムスン電子は１３日、業界で初めて８０ナノメートル（ナノ＝１０億分の１）の加工技術を使ったＤＤＲ２　ＤＲＡＭの量産を開始したと発表した。

８０ナノのプロセス技術は０３年９月にサムスンが開発したもので、９０ナノメートル技術を使用した場合に比べ生産性を５０％以上向上できるという。サムスンではこの先、新技術に移行することで、ＤＤＲ２メモリーに対する旺盛な需要に対応するとしている。

同社は当初、主に５１２メガバイトのＤＤＲ２の生産に８０ナノ技術を活用し、以後、その他のＤＲＡＭチップの生産にも広げていく考え。

サムスンの半導体部門ＤＲＡＭマーケティング・ディレクタ、トム・トリル氏は「０４年の市場投入以来、ＤＤＲ２需要は非常に高い水準で推移している。８０ナノ技術を利用することで、この需要の伸びに効率よく対応することができる」と語った。

同社は９０ナノ技術の基本的な機能を活用することで、９０ナノから８０ナノ技術への移行をスムーズに行い、生産ラインのアップグレードも最小限に抑えることができたとしている。

また、３次元トランジスタ技術「ＲＣＡＴ」の採用も、８０ナノ技術への移行を加速させる要因になったという。トランジスタ構造を３次元とすることで、データストレージにおける重要な要素である、リフレッシュレート（＝垂直走査周波数。ディスプレイが１秒間に画面を書き換える回数）を大幅に高めることができる。

単位面積あたりの集積度を高め、トランジスタの専有面積を削減することで、ウエハー１枚当たりのチップ生産をより効率的に行うことも可能となる。

サムスンは０３年に１００ナノ技術によるＤＤＲ２の量産に着手、０４年にプロセス技術を９０ナノメートルに移行した。いずれも業界では初の試み。

サムスンが指摘する通り、ＤＤＲ２は今後も大幅な伸びが見込まれており、米調査会社ガートナーによると、０６年のＤＤＲ２メモリーの出荷数は全ＤＲＡＭ市場の５割以上を占める見込みだ。