電波プロダクトニュース
060309_01
90ナノプロセスにより800メガbpsの高速動作を実現した1ギガビットDDR2・SDRAM エルピーダメモリはこのほど、90ナノメートルプロセスにより800メガbpsの高速動作を実現した1ギガビットのDDR2・SDRAMのサンプル出荷を開始した。 同社は、100ナノメートルの第1世代プロセスから、今回の第2世代(90ナノメートル世代)への移行を機に製品戦略を変更、新たにラインアップ、多様な市場の要求に対応する。 第2世代品から製品化を計画するのは、サーバーやハイエンドノートPC向けの大容量2ギガバイトのSO-DIMM、さらにデジタルコンスーマ機器向けにも最適な×16ビットなどの構成品。 2ギガバイトSO-DIMMおよび×16ビット構成品のサンプル出荷は、06年度第1四半期(4-6月)に、またフルラインアップによる本格的な市場投入は、第2四半期からを予定している。 今回サンプル出荷を開始した1ギガビットDDR2・SDRAMの特徴は次のとおり。 (1)高速データ転送速度=800メガbps(DDR2-800までの対応が可能)。 (2)大容量かつ薄型モジュールのラインアップ拡充=独自の積層BGAパッケージ技術は、システム上での冷却効率向上に貢献している。 (3)×16ビット構成品にも対応=オンボード搭載で、大容量メモリーを必要とするデジタル民生機器や、ノートPCにおけるシステム上での高密度実装が可能。 |
|
全新製品情報
|
一般電子部品:製品別リスト
|
|
電子デバイス:製品別リスト
|
電子デバイス:用途別リスト|
| ホームページへ戻る
|
次データへ
|