電波プロダクトニュース
041223_02
DIMM エルピーダメモリは、このほど、「フリー・バッファードDIMM」(FB―DIMM)のサンプル出荷を開始した。 ラインアップは、1GビットDDR2SDRAM搭載の「2GB」、同512Mビットの1GBおよび「512MB」の3製品。スピードは、533.667Mbps・(800Mbps)。 同社は、FB―DIMMのラインアップの拡充を図りながら、市場の立ち上がり時期に連動して量産化、ハイエンドサポート向け製品サポートに注力する。 FB―DIMMは、次世代高性能サーバー向けメインメモリーとしてJEDECにおいて仕様標準化が進められている製品。 メインコントローラーとDIMM間の信号線接続において、従来のレジスタードDIMMなどに採用されているスタブ型接続(信号線をパラレルに接続)では、タイミングマージンの少ない高速メモリーにとって、配線経路での信号遅延や劣化が大きな問題になっている。そのためメモリーの高速化に伴い1チャンネル当たりに接続可能なDIMM数は減少せざるを得ない。高速かつ大容量のメモリーが必要となるサーバーシステムにとってこの制約は性能向上のポイントネックとなっていた。 FB―DIMMはDIMM上に搭載した高性能バッファでクロック、アドレス、データのすべての信号をバッファリングすることで、高速メモリーに対してタイミングマージンを確保する。 さらに、メモリーコントローラーとDIMM間をポイント・ツー・ポイント接続(信号線をリアルに接続)する方式を採用し、高速動作を実現している。これらにより、最大4.8Gbpsの超高速動作を実現しながら、1チャンネル当たり最大8枚のDIMM接続が可能となった。 なお、FB―DIMM上に搭載されるDRAM(単体)は、JEDEC標準のDDR2SDRAM。 |
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