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米半導体大手トランスメタはこのほど、電力管理とトランジスターの漏れ電流を制御することで低電力半導体製品の開発を促進する自社の新技術「ロングラン２」を富士通にライセンス供与すると発表した。富士通では、現行ならびに次世代半導体製品の製造に同技術を導入するとしている。半導体製造技術の微細化が進むにつれ、チップの発熱とトランジスターの漏れ電流が深刻な問題として浮上している。 「ロングラン２」は、総チップ電力や待機電力、バーイン電力を削減することで、チップの発熱とトランジスターの電流を制御。同時に半導体性能を向上させ、製造コスト削減も実現する。 トランスメタでは、第1世代の「ロングラン」技術で、チップの動作周波数と電圧を毎秒数100回、ダイナミックに調整することで消費電力の削減を実現。「ロングラン２」では、第1世代技術のアプローチをさらに拡大し、トランジスターのしきい値電圧をダイナミックに調整することによって、トランジスターの漏れ電流も制御することを可能にした。これによって、半導体製造時の電圧変化や温度上昇など予想外の状況変化によって発生する漏れ電流を低減することができるとしている。 トランスメタのマシュー・ペリーＣＥＯは「富士通は、業界最先端の40ｎｍ（ナノメートル）ゲート長のトランジスターを開発し、90ｎｍＣＭＯＳ技術ノードで業界最高性能を達成した。同社は、製造技術の微細化にとって、トランジスターの漏れ電流が重要な問題になるとみている。より高い電力効率を実現するために、富士通がトランジスターの漏れ電流に対処する新しいアプローチとして当社の『ロングラン２』を採用することを非常にうれしく思う」とコメントした。 また、富士通の電子デバイス事業（半導体事業）部門の小野俊彦社長は「トランスメタはエフィシェント・コンピューティング（低電力・高性能）への注力で知られた企業。両社の密接な協業によって、当社の高性能技術とトランスメタの低消費電力技術が結合し、ＡＳＩＣ（特定用途向けチップ）、ＣＰＵ、ファウンドリーなどの顧客企業の商品に活用されることを期待している」と述べた。 富士通では現在、東京都のあきる野テクノロジーセンターで、最新の90ｎｍ・ＣＭＯＳプロセス技術によってトランスメタのプロセッサー「Ｅｆｆｉｃｅｏｎ ＴＭ８８００」を製造している。「ロングラン２」を搭載した「Ｅｆｆｉｃｅｏｎ ＴＭ８８００」は今年中にサンプル出荷が開始される。 |
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