041029_02
パワーMOSFET 
ルネサス テクノロジはこのほど、ノートパソコン、通信機器などのＤＣ―ＤＣコンバーター用パワーＭＯＳＦＥＴとして、2つの素子をＳＯＰ―８サイズの高放熱パッケージＷＰＡＫに搭載した「ＨＡＴ２２１０ＷＰ」を製品化、29日からサンプル出荷を開始する。サンプル価格は84円。量産は2005年4月から月100万個で開始する。 新製品は、高放熱型ＷＰＡＫの採用によりＳＯＰ―８採用の従来品に対して熱抵抗を半分に削減した。これにより約1.5倍の出力電流が制御可能になるため、大電流化が求められるＤＣ―ＤＣコンバーターのパワーＭＯＳＦＥＴ搭載個数を低減できる。 また、業界標準のＳＯＰ―８とほぼ同じ実装面積5.3×6.1ミリメートルと、約半分の薄さ0.8ミリメートルを実現しており、ＤＣ―ＤＣコンバーターの小型・薄型化が図れる。 このパワーＭＯＳＦＥＴは、ハイサイド用とローサイド用の2素子搭載のため分割ドレイン構造としている。そして各素子には最新の0.35ミクロンプロセス採用の第八世代パワーＭＯＳＦＥＴを採用している。 ハイサイド素子はスイッチング速度を重視し、ローサイド素子は低オン抵抗を重視した最適化設計により、ＤＣ―ＤＣコンバーターの低電圧出力に対応した高効率化を図っている。 |
|||||||||||||