040507_01(韓国)サムスン電子

040507_01
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
5月7日	040507_01	(韓国)サムスン電子	半導体集積回路	メモリ	一般産業用

フラッシュメモリー

韓国のサムスン電子は2Ｇビット（Ｇｂ）容量のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを商品化した。

このフラッシュメモリーは従来の50ナノ秒から30ナノ秒へと連続データ読み取り／書き込み時間を高速化したもので、ＵＳＢフラッシュドライブ（ＵＦＤ）、大容量ストレージカード、ＳＳＤ（ソリッドステート・ディスク）などのコンピューター用ストレージシステムの機能を引き上げる。また、このメモリーのユーザーはシステム全体の性能を向上させる、と同社は説明している。 90ナノメートル（ｎｍ）のプロセス技術を使って製造される今回の高速2ＧｂのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは、シングルチップの2Ｇｂ、デュアルダイ・パッケージの4Ｇｂ、クアッドダイ・パッケージの8Ｇｂ容量の3品種を揃えている。

同社によると、今回のメモリーのような高速チップはメモリーカード、ＵＳＢフラッシュドライバー、ＰＤＡ（デジタル個人情報端末）、デジタルカムコーダー、ＭＰ３プレヤーなどの用途に多く需要があるという。