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SRAM高速技術 
ＮＥＣは、システムＬＳＩに応用する高速メモリー技術を開発した。1Ｇヘルツ動作が可能で年内にもＮＥＣエレクトロニクスが同技術を採用し、製品化する。 今回開発した技術は、システムＬＳＩで必要な組み込みＳＲＡＭの高速化技術。ネットワーク機器やサーバー、ストレージ製品、デジタルテレビなどのシステムＬＳＩに応用される。 プロセス技術の微細化にともない、高速化のボトルネックとなっていたＳＲＡＭのビット線のアクセスタイムを面積の拡大なく、約10―15％高速化できる。 メモリーにアドレスを入力後、出力するまでに通るビット線には、セレクターがそれぞれ搭載され、それらをメモリーセルごとに束ねるセンスアンプが搭載されている。今回、セレクターとセンスアンプを入れ替え、ビット線ごとにセンスアンプを搭載することで高速化した。単純に入れ替えるだけでは1.5倍になる面積の拡大を、同構造にすることで必要がなくなった選択機能などの回路を削除し、従来と面積を同等にした。 これまでビット線は、微細化を進めてもアクセスタイムを削減できないという課題があったが、同技術は、微細化とともに高速化の恩恵をうけ、130ナノメートルプロセスの場合、従来構造の5％の高速化、90ナノメートルで10％、65ナノメートルで15％と高速化できる。90ナノメートルプロセスを採用した、64ＫビットのＳＲＡＭマクロを試作したところ、クロックアクセスタイムは650ピコ秒、セルサイズは1.01×1.49マイクロメートル、チップサイズは680×295マイクロメートル。 |
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