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MOSFET 
インターナショナル レクティファイアージャパン（ＩＲジャパン／東京都豊島区、江坂文秀社長）はこのほど、次世代マイクロプロセッサー（ＭＰＵ）の電源仕様ＶＲＭ１０に対応する両面放熱ＤｉｒｅｃｔＦＥＴパワーＭＯＳＦＥＴ3品種「ＩＲＦ６６０９／６６２０／６６２３」のサンプル出荷を開始した。 耐圧20ＶのｎチャンネルＭＯＳＦＥＴで、インテルやＡＭＤの次世代ＭＰＵを搭載したハイエンドデスクトップＰＣ、サーバー、通信システム、データ通信システムなどに使用される高性能ＤＣ―ＤＣコンバーターに最適である。 「ＩＲＦ６６０９」はパワーＭＯＳＦＥＴのオン抵抗とゲート電荷の積が従来比30％減を達成、制御ＭＯＳＦＥＴに必要な特性を強化している。ミラー効果による電荷も4.0ナノクローンと小さいためスイッチング損失が低減される。同６６２０は33Ａ以上の大電流の同期整流用ＭＯＳＦＥＴに最適で、オン抵抗は標準で1.6ミリΩ、最大値で2.0ミリΩを実現している。 同社独自の金属缶構造のＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージにより、低抵抗と発熱による温度上昇が抑えられ、電流密度を高めることができる。 サンプル価格は「ＩＲＦ６６０９」が250円、「同６６２０」が200円、「同６６２３」が320円。 |
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