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フラッシュメモリー 
米インテルの日本法人インテル（株）（グレッグ・ピアーソン／吉田和正共同社長）は20日、業界初となる90ナノメートルプロセスによるＮＯＲ型フラッシュ・メモリーの製品化を発表するとともに、フラッシュ・メモリーの製造能力を、2006年までに現行の3倍に引き上げることを明らかにした。 今回、製品化した90ナノメートルプロセス技術を用いた「インテル・ワイヤレス・フラッシュ・メモリー」は従来の0.13ミクロンプロセスで製造されたものに比べチップサイズは約半分で低コストを実現している。携帯電話はじめ各種携帯機器での売上げ増をめざす。 今年四月からサンプル、第３四半期から量産出荷予定の1ビット／セル品は、1,130円（1万個受注時）。また、今年後半には、1つのセルに2ビットのデータを収納できる多値セル技術による「インテル・ストラタフラッシュ」のサンプル開始も予定。256Ｍビットと512Ｍビットの「スタックドＣＳＰ」（チップ・スケール・パッケージ）で供給する。 インテルでは、2003年時においては、同社のフラッシュ・メモリーが対象とする世界の市場規模は、年間40億ドル（約4,300億円）。これに対して今後、さらに多様な機器への搭載が見込まれることから06、07年には、4.5倍の180億ドルまで増大すると、予想する。 90ナノメートルプロセスの導入は、こうした市場の成長性をにらんでの対応戦略だ。“コピー・エグザクトリー”構想により前工程、後工程合わせ全世界に展開する7カ所のフラッシュ・メモリー製造拠点ネットワークを活用、早期に増産に移行、3年後に製造能力3倍増の実現をはかる。「2004年以降、リーダーシップとマーケット・セグメント・シェアをさらに強固にしていく」（インテル（株））としている。 |
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