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ギガビット通信用面発光レーザーを開発。 
ロームは電流に対する光出力（スロープ効率）が世界最高の0.95Ｗ／Ａのギガビット通信用面発光レーザーの開発に成功した。反射膜と保護膜の材料を工夫し、光出射口付近の光吸収を抑え、しきい値電流を上げずにスロープ効率従来の2倍の0.95Ｗ／Ａに、電力変換効率もこれまでの18％から34％にそれぞれ上げることができた。変調電流も6ミリＡに抑えた。光トランシーバーで要望の強い小型、低消費電力化、高温度動作対応に応えた。商品化の技術を確立できたとみている。量産時期は未定。 開発したギガビット光通信用レーザーは0.85μメートルの選択酸化ＡｌＧａＡｓ系面発光レーザー。東工大との面発光レーザーの共同開発成果をベースに独自開発した。 出射口の大きさをφ10数μメートルに最適化。出射口付近の光吸収を抑えるため、ｐ型多層反射膜（ＤＢＲ）の上に形成した活性層を挟む形で形成したｐ型、ｎ型の多層反射膜（ＤＢＲ）材料と、ｐ型ＤＢＲの上に形成した保護膜（パシベーション）材料を工夫し、光出射口付近の光吸収を抑えることにより、しきい値電流を従来より1ミリＡ高い4ミリＡにするだけでスロープ効率を約2倍の0.95Ｗ／Ａに、電力変換効率も従来の18％程度から34％にそれぞれ上げることができた。 従来の1.3μメートルのファブリペロー型レーザーで25ミリＡだった変調電流を約4分の1の6ミリＡにし、低電流駆動を可能にした。これまでの面発光レーザーと比べても2分の1の低電流駆動を実現した。 7ミリＷの使用時で従来20ミリＡ程度必要だった駆動電流を10ミリＡに抑えることができる。 活性層はＡｌＧａＡｓのバリア層／井戸層が3層ある３ＱＷ構造。ＡｌＧａＡｓスペーサ層の上にｐ型ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層（酸化層）、ｐ型ＡｌＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓのｐ型ＤＢＲ（20層）を形成。活性層の下にＡｌＧａＡｓのｎ型ＤＢＲ（35層）を形成した。コンタクト形状を工夫。チップサイズ50μメートル角。 面発光レーザーのため出射光が真円で、ファイバーとのカップリングが容易。従来のファブリーペロー型レーザーは出射光が楕円のため、光が広がりファイバーとのカップリングが難しかった。 |
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