040116_03STマイクロ

040116_03

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
1月16日	040116_03	STマイクロ	半導体素子	ディスクリート	一般産業用

ドロップIGBT

ＳＴマイクロエレクトロニクスは、高電流で低順電圧ドロップの、200ＡバージョンＩＧＢＴファミリー「ＳＴＧＥ２００ＮＢ６０Ｓ」を発表した。　新製品は、ＵＰＳ、ＳＭＰＳ、アルミニウム溶接の誘導加熱機器用など向けに設計されており、少数キャリアのライフタイムを縮めるための重金属のドーピングや電子線放射を行うことなくオン電圧の損失を低減している。

このＩＧＢＴは、同社のＰｏｗｅｒＭＥＳＨ　ＩＧＢＴファミリーの新製品で、メッシュオーバーレイ技術と特許を取得したストリップ・レイアウトを採用している。メッシュオーバーレイ技術は、ＩＧＢＴ上のＮ型エピタキシャル層上に拡散したＰ型メッシュ構造による新しいストリップベースの高電圧プロセス。Ｎプラスストリップは、セルに代わるデバイスのエミッターとして働き、Ｐ型メッシュ層状に直接拡散している。Ｓサフィックスは10ｋヘルツまでの動作周波数においてＮ型チャンネル部分がオン電圧ドロップを低く抑えるよう最適化されている。

安全性に優れたＩＳＯＴＯＰ絶縁パッケージで提供される。