CTFベース96層512ギガビットの４ＤＮＡＮＤ

96層512ギガビットの「４Ｄ ＮＡＮＤ」

　韓国のＳＫハイニックスが４日、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの新製品として、ＣＴＦ（チャージトラップフラッシュ）技術をベースとした９６層５１２ギガビットのＴＬＣ（３ビット／セル）４Ｄ　ＮＡＮＤを発表した。これにより、業界最高のコスト競争力と性能を提供するとしている。

　新製品は、メモリーセル技術「ＣＴＦ」に「ＰＵＣ（ペリフェラル・アンダーセル）」技術を組み合わせた。ＰＵＣはメモリーセルの下に周辺回路（ペリフェラル）を配する構造。３Ｄ　ＮＡＮＤ開発で競合する米インテル―マイクロンは既に３Ｄ浮遊ゲート技術とＰＵＣとの組み合わせを発表しているが、ＣＴＦとの組み合わせはこれが業界初となる。ＳＫは従来の３Ｄ　ＮＡＮＤと区別するために、「４Ｄ　ＮＡＮＤと命名した」と説明している。

　４Ｄ　ＮＡＮＤは、同社の最先端品である７２層５１２ギガビット３Ｄ　ＮＡＮＤに比べ、チップサイズが３０％以上縮小、ウエハー１枚当たりの生産性は４９％向上した。また、書き込みは３０％、読み込み性能は２５％それぞれ向上し、データ転送速度は業界最高水準の６４キロバイトを達成。

　マルチゲート・インシュレータアーキテクチャの採用により、データＩ／Ｏは動作電圧１.２Ｖで１２００メガビット／秒に達している。

　ＳＫは９６層５１２ギガビット４Ｄ　ＮＡＮＤをベースとして、年内に自社コントローラとファームウエアを内蔵した１テラバイトのクライアントＳＳＤを、１９年下期にはエンタープライズＳＳＤを発表する予定。

　また、需要が伸びている高密度モバイル市場への対応として１９年上期にＵＦＳ３.０製品をリリース。積極的に製品の拡充を図り、現在５位に甘んじるＮＡＮＤ市場への攻勢を強める。

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