SiC/IGBTなどの高耐圧化に対応したゲートドライバーユニット

タムラ製作所のゲートドライバーユニット [引用:株式会社タムラ製作所]

　タムラ製作所は、ゲートドライバーユニットの製品ラインアップを拡充している。パワーデバイスにおけるＳｉＣ／ＩＧＢＴといった高耐圧化に対応。従来製品「２ＤＭシリーズ」に加え、ユーザーのゲート駆動回路設計にかかる工数を、大幅に削減できるＳｉＣ／ＩＧＢＴ用ゲートドライバーユニットの新製品開発に取り組んでいる。

　現在開発中の製品は、ゲート駆動専用ＤＣ―ＤＣ電源「２ＤＤシリーズ」、ＳｉＣ／ＩＧＢＴ共用次世代ゲートドライバー「２ＤＭＢシリーズ」、３―ｌｅｖｅｌ用ＩＧＢＴ専用ドライバー「４ＤＵシリーズ」。

　２ＤＤシリーズは、各種ＳｉＣ、ＩＧＢＴパワーモジュールの駆動専用ＤＣ―ＤＣ電源。９ｐＦという低寄生容量、５ｋＶの高耐圧によって、ＩＧＢＴのほかＳｉＣの駆動用としても最適。２ｉｎ１タイプに対応した２出力で、入力電圧は１２―２８Ｖのワイド。

　パッケージの高さは１２.５ミリメートルと低背化している。

　２ＤＭＢシリーズは、コントロールＩＣも内蔵したオールインワンの低背型ゲートドライバーユニット。高絶縁耐圧（５ｋＶ）、低寄生容量（１２ｐＦ）。従来のＳｉＣ駆動性能に加え、１７００Ｖ耐圧パワーモジュールにも対応する。２ｉｎ１タイプに対応した２出力で、ワイド入力電圧（１３―２８Ｖ）。

　４ＤＵシリーズは、大容量３―ｌｅｖｅｌ.４ｉｎ１.ＩＧＢＴ駆動用ゲートドライバーユニット。Ｔ―Ｐｒｉｍｅの端子とほぼ同じ高さ（１４ミリメートル）の低背型で、Ｔ―ＴＹＰＥ用とＩ―ＴＹＰＥ用の２機種を用意した。高絶縁耐圧（５ｋＶ）、低寄生容量（１２ｐＦ）、ワイド入力電圧範囲（１３―２８Ｖ）。