宇宙産業初のGaNFET電源ソリューション

　ルネサス　エレクトロニクスはこのほど、宇宙産業初となる耐放射線パッケージの窒化ガリウム（ＧａＮ）電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）およびローサイドＧａＮ　ＦＥＴドライバーを発表した。

　新製品は、打ち上げ機と人工衛星ならびにダウンホール掘削や高信頼性工業用途の１次および２次ＤＣ／ＤＣコンバータ電源に使用可能。これらのデバイスは、フェライト・スイッチ・ドライバー、モーター制御ドライバー回路、ヒーター制御モジュール、埋め込みコマンド・モジュール、１００Ｖおよび２８Ｖ電力調整、ならびに冗長スイッチング・システムを駆動する。

　ＩＳＬ７００２３ＳＥＨ　ＧａＮ　ＦＥＴ（１００Ｖ、６０Ａ）およびＩＳＬ７００２４ＳＥＨ　ＧａＮ　ＦＥＴ（２００Ｖ、７.５Ａ）は、エフィシャント・パワー・コンバージョン社（ＥＰＣ社）が製造するベース・ダイを使用する。ＧａＮ　ＦＥＴはシリコンＭＯＳＦＥＴと比較して最大１０倍の性能を提供する一方、パッケージ・サイズは５０％削減。

　さらに電源の重量を低減し、より高い電力効率を少ないスイッチング電力損失で実現する。ドレイン・ソース間オン抵抗が５ｍΩかつゲート電荷が１４ｎＣのＩＳＬ７００２３ＳＥＨは、業界で最高クラスの性能指数を可能にする。