電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
11月16日 161116_01 ローム 半導体素子 ディスクリート 自動車機器用

オン抵抗を半減し低損失/高速スイッチング実現のSiC MOSFET


会見の様子。左端が
独現地法人のアンドレ社長。

 【ミュンヘン(独)=田坂弘明前特派員】ロームは11日までドイツ・ミュンヘンで開催されたエレクトロニカ2016の会場で新製品発表会を開催した。

 新製品の中でも注目を集めたのが第3世代のSiC MOSFETおよびショットキーバリアダイオード(SBD)、モジュール。

 ダブルトレンチ構造を採用した新世代のSiC MOSFETは、同じチップサイズのプレーナ型SiCと比べてオン抵抗を50%、入力静電容量を35%低減した。低損失かつ高速スイッチング性能により、いまだかつてないパフォーマンスを実現。機器の小型・軽量化、変換効率の向上などに貢献する。

 第3世代のSiC SBDは全ての温度範囲内で業界最高クラスの低電圧、低リーク電流を実現。さらに高サージ電流機能を特徴としており、電源用途に最適だ。

 これらのSiC技術はこのたびパートナーシップ契約を締結したヴェンチュリー・フォーミュラEチームに提供される。SiCパワーデバイスを活用することでマシンの小型・軽量化、高効率化に貢献する。同チームは実際に今年の第3シーズンからSiC SBDをマシンに搭載予定だ。

 クリスチャン・アンドレ独現地法人社長は「電気自動車のフォーミュラカーレースとして注目を集めるフォーミュラEに、ヴェンチュリーチームの技術パートナーとして協力できることを誇りに思う。技術面からサポートし、チームの勝利に貢献したい」と話す。

 車載外装用LEDライティングやワイヤレス給電向けのミディアムパワーデザインキットも発表。各種新製品は同社ブースにも展示され、来場者の注目を集めた。


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