定格130Aでオン抵抗0.72mΩのパワーMOSFET3品種

　ルネサスエレクトロニクスは、サーバーなどの電源の省電力化、小型化に貢献する低オン抵抗パワーＭＯＳＦＥＴ（３品種）を発売した。負荷に対して複数の電源を備えるシステム「オアリング」向けＦＥＴで従来品比５０％の低オン抵抗を実現した。

　サーバーやストレージ機器は、システム全体の信頼性を高めるため、複数の電源ユニットをオアリング向けＦＥＴでまとめて冗長化し、不測のトラブルに備えることが一般的になっている。

　オアリング向けＦＥＴは、各電源ユニットの電力出力ラインに接続され、通常動作時はオン状態となっている。一つの電源ユニットが故障し正常な電源供給ができなくなった場合には、その電源ユニットのオアリング向けＦＥＴをオフに切り替え、ほかの電源ユニットから隔絶することが役割となっている。

　電力出力ラインには通常動作時、数十から数百Ａの大電流が流れる。その中で、導通損失の増大や電源電圧の低下を防ぐために、よりオン抵抗の小さいオアリング向けＦＥＴが必要とされている。

　新製品の「μＰＡ２７６６Ｔ１Ａ」は、３０Ｖ耐圧、５×６ミリメートルサイズのＦＥＴとして０.７２ｍΩの低オン抵抗を実現した。また採用する８ピンＨＶＳＯＮパッケージは、パッケージ内部のＦＥＴチップと端子間を金属板で接続する構造。パッケージ抵抗が低く、ＦＥＴチップの持つ低オン抵抗性能との組み合わせにより、定格１３０Ａの大電流制御を可能にした。

　このほか、オン抵抗１. ０５ｍΩまでの２種も発売。動作電流や環境条件などの様々なニーズに合った製品を選択できる。 　サンプル価格は「μＰＡ２７６６Ｔ１Ａ」で１５０円となっている。