65ナノプロセスで極小チップのXS版１ギガビットDDR3 SDRAM

　エルピーダメモリ（坂本幸雄社長）はこのほど、５０ナノメートルプロセスと同等レベルのコスト競争力を達成した６５ナノメートルＸＳ版（エクストラシュリンク版）の１ギガビットＤＤＲ３　ＳＤＲＡＭの開発を完了した。ＰＣ、サーバー市場をターゲットに１０年第１四半期（１―３月期）から量産開始を予定。

　 昨年、既存のＡｒＦドライ露光装置を徹底的に活用し、６５ナノメートルＳ版（シュリンク版）を開発している。今回、開発したＸＳ版はさらにチップサイズを縮小するため、３００ミリメートルウエハー１枚当たりのチップ取得数はＳ版に比べ、２５％増加する。

　 チップサイズを極限まで小さくしたことに加え、製造工程の削減や既存のＡｒＦドライ露光装置を活用、装置コストを大幅に削減した結果、５０ナノメートルプロセス製品と同等レベルのチップコストを実現した。

　 同社は昨年から続くＤＲＡＭ不況を背景に、微細化推進と投資抑制型の２本立てで研究開発を進め、５０ナノメートル、４０ナノメートルといった先端プロセスの導入による微細化と並行、既存のＡｒＦ露光装置を活用している。