090924_01
日付 |
メーカー名 |
製品分類 |
分類 |
用途 |
9月24日 |
090924_01 |
アナログ・デバイセズ |
半導体集積回路 |
汎用リニアIC |
通信インフラ用 |
LTE基地局向け高集積RFコンバージョンIC
アナログ・デバイセズ(ADI)は、LTE、第4世代携帯電話(4G)にも対応する携帯電話基地局向けの高集積RFコンバージョンICのサンプル出荷を開始した。
モジュレータ/ミキサーにVCO(電圧制御発振器)、PLL(位相同期回路)、LDO(低飽和型)レギュレータなど「RF―IF間回路」に必要な機能を6ミリ角サイズ(パッケージ=40ピンLFCSP)のICに集積。従来の個別ICソリューションに比べ、基板面積、コストともに60%程度削減する。
新製品は、送信系システム向けのI/Qモジュレータファミリー「ADRF670x」と、受信系システム向けのRFミキサーファミリー「同660x」の2ファミリーがある。
いずれのファミリーも内部局部発振器の対応周波数別に4種類用意。「750メガ―1160メガヘルツ」「1550メガ―2150メガヘルツ」「2100メガ―2600メガヘルツ」「2500メガ―2900メガヘルツ」の4種類あり、2.5G、3Gだけでなく、次世代のLTE、4Gに対応。各製品ともパッケージ、ピン配置は共通。
また、ソフトウエア互換でもあり、次世代通信技術への移行を見据えた共通プラットフォーム構築も図りやすい。
両ファミリーとも機能集積で問題となる機能ブロック間の干渉を抑えるため、新プロセス技術を導入し、ノイズキャンセル機能を搭載。個別機能ICで構成した場合と同等以上のダイナミックレンジを達成した。
同670xでは、モジュレータ出力インターセプトポイント(IP)3=プラス30dBm、モジュレータノイズは「マイナス158dBm/ヘルツ」。同660xはミキサー入力IP3=プラス26dBm、電圧変換ゲイン=プラス6dBを誇る。なお、LTE、4Gなどでより高いフェーズノイズ特性が必要な場合、外付けVCOを用いることもできる。
価格は同670xが1万個受注時9.98ドル、同660xが同8.98ドル(いずれも米国市場価格)となっている。
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