電波プロダクトニュース
050914_05
7.2メガピクセルCMOSイメージセンサーほか 【ソウル支局】韓国サムスン電子は12日、半導体の新製品3種類を発表した(13日付1部既報)。 世界初の50ナノメートルの超微細加工技術を使用した16ギガビットNAND型フラッシュメモリーは1枚のウエハーに計164億個のトランジスタを集積。これを16個組み込んだメモリーカードでは、MP3形式の音楽ファイル8000曲を記憶できるとしており、「小型HDDに代わるモバイル時代の主流記憶技術」と同社半導体総括、黄昌圭社長は自信をみせる。 この画期的なメモリー製品と同時に、サムスンは今回、7.2ガピクセルのCMOSイメージセンサーと、フュージョン(融合型)半導体3種類を発表した。 7.2メガピクセルCMOSイメージセンサーは、デジタルカメラやカムコーダ、カメラ付き携帯電話などに使用されるCCD(電荷結合素子)に代わる新技術として注目を集めている。 CMOSは半導体製造プロセス技術の1つで、サムスンが開発した7・2メガピクセルCMOSイメージセンサーはCCDベースのデジタルカメラ並みの高画質を実現しながら、消費電力が10分の1。 サムスンではこれまで、3・2、5メガピクセルのCMOSイメージセンサーを商品化。だがより高画質のデジタルカメラやカメラ付き携帯電話が普及するにつれ、7メガ以上のセンサーチップに対する需要は今後大きく拡大することが予想される。 同社では、7メガ以上のセンサーチップの世界出荷数は08年に6千万個に達し、CMOSイメージセンサー市場全体の60%を構成するとみている。 一方、フュージョン半導体は、大容量メモリーと省消費電力モバイルCPUの融合製品、NAND型フラッシュメモリーとフラッシュ・コントローラ、カード・コントローラを統合したもの、NAND型フラッシュとMP3デコーダチップをシングルパッケージに組み込んだ3種類を発表。 サムスンは既に、NAND型フラッシュのシリコンステインとNOR型フラッシュ、ロジックコントローラのシリコン要素をシングルチップに融合したフュージョンメモリー製品「OneNAND」を展開。同製品と今回発表した新製品3種でフュージョンメモリーの総出荷額は05年の3億ドルから08年は20億ドルに達すると見込んでいる。 |
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