050913_02東芝

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日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
9月13日	050913_02	東芝	半導体素子	ディスクリート	通信インフラ用

6ギガヘルツ帯で世界最高出力147ワットを実現した窒化ガリウム・パワーFET

東芝は１２日、基幹通信基地局や衛星通信基地局などで用いられるマイクロ波通信用の高周波・高出力素子として、６ギガヘルツ帯で世界最高出力１７４ワットを達成した窒化ガリウム・パワーＦＥＴ（電界効果トランジスタ）を開発したと発表した。今回開発したパワーＦＥＴは、ＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）構造を採用している。また、ＦＥＴの単位構造であるソース、ドレイン電極間の距離とゲート長および各電極への給電部の形状などをＣ帯（4ギガ-8ギガヘルツ）以上の高周波でも高性能動作するよう微細化、最適化している。さらに素子構造最適化に合わせ、表面処理と熱処理条件の最適化で、ゲート電極の採用によりゲートリーク電流を従来の３０分の１に低減した。

これら独自の電極構造とプロセス技術により、１枚のウエハーから多くのチップを均一に作ることが可能となり、４つのチップをパッケージ内で損失を抑えて電力合成する技術を確立した。

これにより発熱源を分散させ高出力化を可能とし、Ｃ帯で１５０ワットを超える高出力を実現。同社では１年以内の実用化をめざす。