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高周波半導体デバイスを実現するSiGe:C（シリコン・ゲルマニウム・カーボン）プロセス  独インフィニオンテクノロジーズは８月３１日、高周波半導体デバイスを実現するＳｉＧｅ：Ｃ（シリコン・ゲルマニウム・カーボン）プロセス技術を公表した。 同社の最新世代ＨＢＴ（ヘテロ接合バイスポーラ・トランジスタ）に適用された同技術は、超低雑音で高い利得を実現、従来はＧａＡｓ（ガリウム・ヒ素）を適用した高コストの技術が必要だった性能がシリコン適用により達成される。 ＳｉＧｅ：Ｃトランジスタは、周波数１０ギガヘルツまでの広範な高周波、無線アプリケーションでＬＮＡ（ロー・ノイズ・アンプ）、マイクロはオシレータ、汎用アンプなどの機能実現に最適。代表的なアプリケーションに、無線ＬＡＮ、ＷｉＭＡＸ、コードレス電話、ＵＷＢ、ＧＰＳ、衛星利用の各種放送サービスなどがある。 | ||||||||||||