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業界最速毎秒2.0ギガビットでメモリー容量512ＭビットのグラフィックスDDR3 DRAM  【ソウル支局】韓国サムスン電子は２１日、９０ナノメートルの微細加工技術を採用し、業界最速の毎秒2.0ギガビットでメモリー容量５１２メガビットのグラフィックスＤＤＲ３（ＧＤＤＲ３） ＤＲＡＭを開発したと発表した。 同ソリューションは、クロックスピード毎秒8.0ギガバイトで、従来の1.2ギガｂｐｓデバイスに比較して７０％の高速を実現。ＰＣやワークステーション、ハイエンドゲーム機器での高品質画像や高速アニメーションの読み取りに適しているという。 同社では今回、０４年１２月に開発した1.6ギガｂｐｓで５１２メガビット容量のＧＤＤＲ３の量産出荷を開始したことも明らかにした。 通信速度毎秒6.4ギガバイトの同ソリューションは、５１２メガビットのモノリシックＧＤＤＲ３を１６個組み合わせることで、最大密度１ギガバイトを実現し、グラフィックカードなどに搭載される。同ＧＤＤＲ３は、ＪＥＤＥＣ（電子部品の標準化を推進する米業界団体）標準１３６ボール・パッケージを内蔵。 サムスンは、０２年に業界初の1.0ギガｂｐｓで１２８メガビット容量のGDDR1/GDDR2を紹介。今回の発表により、ＧＤＤＲメモリー技術のフルラインアップを確保した。 市場調査会社の米マーキュリー・リサーチによると、世界のＧＤＲＡＭ市場は０５年が前年比４３％増の１５億ドル、０６年は２０億ドルを超える見込みだ。 |
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