050520_04
WCDMA無線基地局向け窒化ガリウム使用のHEMT構造化合物半導体  ユーディナデバイスは、窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いた無線基地局用の化合物半導体デバイスの製品化に成功した。６月からサンプル出荷を開始し、早ければ今夏に量産を行う。初年度売上げとして８億円を見込む。 窒化ガリウムは、シリコン（Ｓｉ）やガリウムひ素（ＧａＡｓ）などの半導体に比べ、高電圧動作が可能で、次世代の化合物半導体として注目を集める。 同社は、高周波特性に優れたＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）構造を用い、業界トップクラスの性能を実現した。 消費電力は、従来のＧａＡｓデバイスに比べ、２５％程度少ないほか、高電圧（最大５０ボルト）、高温（最大２００度Ｃ）で動作し、最大１８０ワットの出力を実現している。 サンプル出荷する製品は、第３世代携帯電話方式「ＷＣＤＭＡ」向けとして2.11-2.77ギガヘルツ対応の４製品と、3.5、2.7、2.2ギガヘルツ対応品の全７製品。 携帯電話などの無線基地局は、通信容量拡大のための電波の高出力化要求が高まっている。また、複数の通信方式の導入で、基地局のモジュール搭載数が増加しているため、小型化要求も強い。 同社は「基地局用デバイスへの要求に対し、信頼性も含めて応えられる製品となった。第３世代携帯電話の普及が進む日本市場を中心に、世界的な需要を見込んでいる」とする。 なお、新製品は、６月１２日から米ロングビーチで開催される国際マイクロ波シンポジウムの併設展示会で公開する。 |
||||||||||||