電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
3月24日050324_03 東芝 半導体素子 ディスクリート 一般民生用

家電機器向け電力損失40%カットのパワーMOSFET



東芝はこのほど、テレビなど家電機器の電源部やACアダプター内での電力変換用に動作時の抵抗(オン抵抗)による電力損失を従来の約40%に抑えたパワーMOSFET「TK15A60S」を開発、23日からサンプル出荷を開始した。

サンプル価格は300円。4月から月百万個で量産を開始する。

新製品は、動作時の抵抗が小さいスーパージャンクション構造を採用している。これはシリコン基板上の素子に電流が流れやすい垂直構造方向の通電経路を作ることで、シリコンの理論限界以上の低抵抗化を実現する手法。

同社では、素子中に溝を掘る独自のDTMOS(Deep Trench MOSFET)技術によりスーパージャンクション構造を実用化。ドレインとソース間オン抵抗最大0.3Ωを達成している。この技術によるパワーMOSFETの製品化は業界初。

パッケージは、市場で実績のあるTO-220SISを採用しており、従来製品からの置き換えが容易である。

主な仕様は次のとおり。

▽ドレイン・ソース間電圧=600V(最大)▽ゲート・ソース間電圧=±30V(最大)▽ドレイン定格電流=15A▽ゲートしきい値電圧=3.0-5.0V▽ゲート入力電荷量=27nC。

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