050311_05米TI

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日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
3月11日	050311_05	米TI	半導体集積回路	専用IC	移動体通信機器用

65ナノCMOSプロセスで製造された携帯向けデジタルベースバンドデバイス

米テキサス・インスツルメンツ（TI）は10日、65ナノメートルCMOSプロセス技術で製造された携帯電話向けデジタル・ベースバンド・デバイスの供給開始を発表した。このデバイスは90ナノメートルプロセス製品のチップ面積を半分に縮小する65ナノメートルプロセスに加えトランジスターの性能を40%向上する歪みシリコン技術、さらに非動作中のトランジスターの漏れ電流を従来技術の千分の一に削減するなどして実現している。

同社の65ナノメートルプロセス技術は、最高十一層の銅配線を使用できる。層間絶縁膜に2.8-2.9と低誘電率材料であるOSGが採用されている。その他、トランジスター・チャンネルに歪みを発生させ、電子およびホールの移動度を増加させる歪みシリコン技術、ゲート抵抗とソース/ドレイン抵抗の低減に役立つニッケルシリサイドの採用、さらに極浅ソース/ドレイン接合などがある。

そしてユニークな差動オフセット・スペーサーの使用により、NMOSトランジスターとPMOSトランジスターの独立した最適化が可能となり、性能の向上および漏れ電流の最小化を実現する。

この65ナノメートルプロセスは、200ミリメートルウエハーおよび300ミリメートルウエハーによる製造が計画され、製造認定後の全面稼働は05年末までに予定されている。

また、同社の65ナノメートルプロセスは今後の製品においてワンチップ・ワイヤレス・ソリューション内にデジタルＲＦ機能を集積するDRPアーキテクチャーをサポートする。デジタルCMOS　IC内でRF機能を処理することにより、送受信機能を製造コスト、消費電力および実装スペースを削減し、先進のアプリケーションおよび新機能の搭載をより容易にする。