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45ナノ世代以降の微細化実現の超高速SRAM  ＮＥＣとＮＥＣエレクトロニクスは9日、45nm世代以降のSRAM微細化を実現する超高速メモリー技術の開発を発表した。 プロセスの微細化はトランジスター特性のばらつきを顕在化する。LSIの構成要素の中で、特にSRAMは影響を受けやすく読み出し中の記憶データ保持を補償するパラメーターであるノイズマージンを劣化させる。 今回両社が開発した新技術は、データ保護用素子を含む七個のトランジスターでメモリーセルを構成、プロセスの微細化（スケーリング）を困難にするノイズマージン劣化によるデータ破壊を防止した。さらに、メモリーセルとセンスアンプとを結合させるレイアウト技術を新たに開発、データ保護用素子の追加に伴うオーバーヘッドを解消している。 これにより、動作周波数が、1GHzを超える次世代のシステムLSIや高速コンピューターシステムに不可欠な超高速混載メモリーを実現できるという。 定格電源電圧の50％でも動作できることからモバイル・携帯機器用LSIのための低電力混載メモリーにも適用できる。さらに、LSI全体の電源電圧を要求処理能力に応じて可変制御することでモバイル・携帯機器の稼働時間も大幅に延ばすことを可能にする。 NECでは、今回の技術をシステム・オン・シリコン時代のコア技術として早期の商品化をめざし研究・開発体制を強化していく計画 |
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