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2.0μ角の画素サイズで世界最小のMOSイメージセンサー  松下電器は世界最小の2.0μm角画素サイズのMOSイメージセンサーの開発に成功した。MOSイメージセンサーでは初めて0.15μmルールの微細配線を採用。従来のMOSイメージセンサーで画素ごとに必要だった検出アンプ回路を四画素で一個共有化する独自の画素回路技術を用い、電源駆動方式をDC電源方式からパルス電源方式に変えることで四画素あたりのトランジスター数を16個から6個（画素あたりのトランジスター数1.5個）に削減。フォトダイオード面積比率をこれまでの1.5倍の30%に広げ、3400電子/ルクス・秒の感度を得た。 今後、低ノイズプロセス技術や暗い場所で撮影した場合に生じやすい白点状の画像欠陥や画像のザラツキなどを抑制する技術を導入すれば、CCD並みの感度が得られるとみている。画素サイズ3.1μメートル角なら携帯電話で採用されている光学サイズ4分の1型で百万画素弱となる画素を今回の2.0μメートル角画素サイズなら4分の1型で250万の高画素化が可能。DSC用の光学サイズ2分の1型だと3.1μm角画素サイズで200万-300万画素となるが2.0μm角画素サイズなら500万画素以上の高画素化が可能。 MOSイメージセンサーの特徴を生かし4分の1型200万画素で消費電力をCCCDの4分の1の20ミリWに抑えた。27MHzで30フレームを実現しハイビジョン映像にも対応できるメドがついた。 |
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