電波プロダクトニュース
050208_03
ハイ/ローサイド両方のNchMOSFET駆動用高耐圧ゲート・ドライバー ナショナル セミコンダクター ジャパンはこのほど、同期降圧またはハーフブリッジ構成で、ハイサイドとローサイド両方のNチャンネルMOSFETをドライブするために開発した高耐圧ゲート・ドライバー「LM5107」を発売した。価格は、100円(一千個購入時の単価)。 LM5107は、LM5100ハーフブリッジ・ドライバー・ファミリーの新製品で、最大100Vまでの電源で動作可能。出力はTTL互換しきい値電圧によって独立制御され、ハイサイドのゲート・ドライブ・ブートストラップ・コンデンサーにチャージするための、オンチップ高耐圧ダイオードを内蔵している。 高性能レベルシフターが高速で動作する一方で低消費電力であり、制御入力ロジックからハイサイドのゲート・ドライバーへのクリーンなレベル移行を実現する。 また、ローサイドとハイサイド両方の電源でUVLO(電圧低下ロックアウト)が働く。パッケージは、SOIC-8とサーマル・エンハンストLLP-8で提供される。 |
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全新製品情報
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