050126_04NECエレクトロニクス

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日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
1月26日	050126_04	NECエレクトロニクス	半導体集積回路	リニアIC	一般産業用

最大200万ゲートまで対応可能な150nmプロセスゲートアレイ

NECエレクトロニクスはこのほど、セミカスタムLSIユーザーに幅広くソリューションを提供することを目的として、150nmプロセスのゲートアレイ「CMOS-12M」を製品化、4月からサンプル出荷を開始する。サンプル価格は1000円（12万のユーザブルゲートと96kビットのSRAM搭載品）から。量産は7月を計画しており、2005年度末には月50万個を見込んでいる。

同社のセミカスタムLSIは、多機能、高性能の製品を実現するセルベースIC、セルベースICに比べ顧客の初期投資を低減できるストラクチャードASICで、特に通信関係のユーザーに好評のISSP（インスタント・シリコン・ソリューション・プラットフォーム）、そして短納期で開発費を極力低減することに主眼をおいたゲートアレイの三種類の半導体ソリューションを提供することで、幅広い要求に対応している。

今回のゲートアレイは、セルベースICやISSPほど高性能化を要求しない応用分野で、短納期かつ開発費用の低減が図れる150nmクラスの半導体が求められる分野へ、ゲートアレイ事業で蓄積した技術力および製品ノウハウ、充実した設計環境などによりCMOS-12Mを提供する。

CMOS-12Mは150nmプロセス技術を駆使したCMOSゲートアレイで、最大200万ゲートまで対応でき、動作速度は200MHz、SRAM、APLLおよびDLLマクロが搭載されている。

同社では、27日から28日まで横浜市のパシフィコ横浜で開催される「EDSフェア2005」にこのゲートアレイを出展する。