世界売上高前年比7割増、活況続くDRAM市場

　ＤＲＡＭ市場の活況が続いている。１６年後半以降顕著となった需給ひっ迫と単価の大幅な上昇に支えられ、１７年の世界売上高は前年比７割増と大幅伸長。１８年もこの勢いは継続する見通しで、業界首位の韓国サムスン電子を筆頭にＤＲＡＭの主要ベンダーに恩恵をもたらしそうだ。

　米調査会社ＩＣインサイツによると、１７年のＤＲＡＭ売上高は約７２０億ドル、前年比７４％増と高い伸びが見込まれている。ＤＲＡＭ市場は過去四半世紀の間、乱高下を繰り返してきた（グラフ参照）。最近では主要用途であるＰＣ市場の低迷を要因に１５、１６年と２年連続でマイナス。そこから一転して１７年の高成長率は、１９９４年に記録した７８％に次ぐ水準だ。

需要の伸びはスマホやデータセンター向けが好調だったことに加え、１６年後半から続く供給不足に伴う単価上昇が後押しした。

　業界主要ベンダーのサムスン電子、韓国ＳＫハイニックス、米マイクロン・テクノロジーの３社は、市況を鑑み１５年以降、ＤＲＡＭへの投資を抑制していた。さらに、ベンダー各社は先進技術への移行を進めるものの歩留まりが向上せず、供給量が全般的に不足。このため旺盛な需要に対応できず、米ガートナーのまとめではＤＲＡＭ単価はこの１年で４４％上昇したという。

　こうした好市況を背景に、主要メーカーの１７年の営業利益率は大幅に拡大。メモリー関連の調査会社、台湾ＤＲＡＭエクスチェンジによれば、サムスンの７―９月（第３四半期）営業利益率は６２％。ＳＫハイニックスは５６％、マイクロンも５０％に達した。

　スマホ向けの低消費電力・高密度ＤＲＡＭに対するニーズの増加に加え、ビッグデータやＡＩの普及に伴うデータ量の爆発的な伸びで、データセンター向け高性能ＤＲＡＭ需要もさらに拡大するとみられ、少なくとも１８年後半まで市場は供給不足が続くと業界関係者は予想する。

　ＤＲＡＭ市場でシェア約４６％と圧倒的強さを見せるサムスンは、回路線幅１８ナノメートルの先進プロセスへの移行を進めることで生産量を拡大。また、１７年に３Ｄ　ＮＡＮＤ向けとして稼働を開始した韓国京畿道平沢（ピョンテク）工場の一部をＤＲＡＭ生産に充て、需要の伸びに対応する。

　同社は先頃、データセンター用サーバーなど次世代コンピューティングシステム向けとして、第２世代１０ナノメートル級プロセスを使用した８Ｇビット ＤＲＡＭの量産を開始した。世界最小のＤＤＲ４　ＤＲＡＭで、新回路設計の採用により前世代製品比１０％の性能向上と１５％の低消費電力を実現。同製品には世界中にデータセンターを展開する大手ＩＴ企業から強い引き合いが見られるという。

　また、スパコンやグラフィックカード向けに、最先端の８Ｇバイト ＨＢＭ２、さらに業界初となるＧＤＤＲ６　ＤＲＡＭの量産にも着手し、プレミアム製品分野を大幅に強化。先進技術開発でも他社をリードし、１８年はさらなるシェアの拡大を図る。

　業界２位のＳＫハイニックスは、既にＤＲＡＭ生産力拡大に向け、工場の拡張に着手。９５００億ウォン（約９８０億円）を投じ、中国・無錫工場にクリーンルームを増設、１９年に完成させる。同工場は同社のＤＲＡＭ生産の半分を担う主力拠点。今回の拡張プロジェクトにより、総生産量は倍増する見通しだ。

　プロセス技術では歩留まり改善に注力するとともに２１ナノメートル技術を積極的に導入。１８ナノメートルの少量生産も開始し、競争力強化につなげる。同社では「先進プロセスへの移行は非常に複雑で、これによって生産性を高めるには時間を要する。１８年も供給不足はしばらく続くだろう」との見方を示している。

　マイクロンは現在のところ、工場の増設計画を明らかにしておらず、先進プロセスの歩留まり改善に注力。台湾の子会社では１７ナノメートル技術の良品率向上に取り組んでおり、１８年にはＤＲＡＭ生産量の半分を１７ナノメートルに移行する計画だ。

　世界のＤＲＡＭ市場はこれら３社で約９５％を構成。残りのシェアをナンヤ（南亜科技）、ウィンボンド（華邦電子）、パワーチップ（力晶科技）など台湾企業が分け合う。

　このほか、政府主導でメモリーの国産化を推進する中国では、１６年に福建省政府傘下の晋華集成電路（ＪＨＩＣＣ）と、叡力集成電路（イノトロン）が相次ぎＤＲＡＭ工場建設に着手したが、世界で競争力を持つのはまだ先のことになりそうだ。