韓国SKハイニックス

世界初　72層256ギガビットの3D NANDメモリーを開発

　【ソウル支局】韓国ＳＫハイニックスは１０日、世界初となる７２層２５６ギガビット ３Ｄ　ＮＡＮＤを開発したと発表した。現在、業界最高水準の韓国サムスン電子による６４層製品を上回るもので、これによりＳＫは３Ｄ　ＮＡＮＤメモリーソリューション開発における競争力を強化するとしている。今年後半にも量産開始の予定だ。

　ＳＫハイニックスは１６年４月に３６層１２８ギガバイト ３Ｄ　ＮＡＮＤを発表。同年１１月から４８層２５６ギガビット の３Ｄ　ＮＡＮＤの量産に着手し、それからわずか５カ月で７２層チップの開発に成功した。

　ＴＬＣ（３ビット ／セル）技術採用のメモリーセルを７２段積層した新メモリーは、現在量産中の４８層３Ｄ　ＮＡＮＤに比べて生産性が３０％向上。また、内部回路動作速度は２倍に、読み込み／書き込み性能は２０％高速化している。

　同社は同チップを使用して、ＳＳＤなどのＮＡＮＤフラッシュソリューションや、スマホ向けｅＭＭＣなどを開発中だ。

　高性能、高信頼性、低消費電力の３Ｄ　ＮＡＮＤの需要はＡＩやビッグデータ、クラウドストレージ導入が進むにつれ、大幅に増えることが予想されている。

　ＳＫハイニックスはＤＲＡＭで世界第２位、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーでは米マイクロンと業界４位の座を争う。

　売上比率はＤＲＡＭが全体の７割を占めるが、最近ではＮＡＮＤフラッシュへの投資も活発で、昨年１２月には忠清北道清州（チョンジュ）市に２兆２千億ウォン（約２２００億円）を投じ、最先端のＮＡＮＤ工場を建設する計画を発表。新工場は８月着工、１９年６月の稼働を目指している。また、同社は東芝の半導体事業の入札にも参加。東芝はＮＡＮＤフラッシュでサムスンに次ぐ世界第２位のベンダーだ。