産業技術総合研究所
トンネルＦＥＴを用いた超低消費電力ＬＳＩの動作実証に成功
今後、同トランジスタを用いた超低消費電力ＬＳＩにより、橋梁などのインフラ診断のためのセンサーノードや電池交換不要な生体情報モニターのためのウエアラブルセンサーノードが実用化されることが期待される。
ＩｏＴの普及に伴って、無線センサーモジュールの超低消費電力化が重要な課題となっている。
ＮＥＤＯプロジェクト「エネルギー・環境新技術先導プログラム／ＵＬＰセンサモジュールの研究開発」において、産業技術総合研究所など９機関は共同で、超低消費電力センサーモジュール技術構築に関する研究を１４―１５年度に実施した。
開発した回路は、トンネル電界効果トランジスタ（トンネルＦＥＴ）を用い、超低消費電力での駆動および高い動作周波数での使用が期待されるトンネル効果を利用したが、Ｎ型およびＰ型からなる相補型ＬＳＩの形成が困難なことで、回路動作の実証はできなかった。
今回、同プロジェクトの先導研究で抽出された課題の一つであるトンネルＦＥＴの動的回路動作の実証を産総研が独自に実施し、リング発振回路を用いて動的回路の動作確認に成功した（図）。
これにより、トンネルＦＥＴを用いたＬＳＩの性能向上を動作周波数で検証することが可能となり、実用化に向けた検討段階に入った。動作速度の改善と動作電圧の低下に向けた研究開発を行い、複雑な回路への応用や動作周波数の向上を目指す。
同技術は５─７日（現地時間）、アメリカのサンフランシスコで開催された国際会議「２０１６ＩＥＥＥ国際エレクトロニクスデバイス会議」で発表された。