ＪＥＩＴＡの半導体開発
「新再生構想」
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電子情報技術産業協会（ＪＥＩＴＡ）の半導体部会（部会長＝伊藤達ルネサス テクノロジ社長）はこのほど、日本半導体産業の復活を目的とする「第２次ＳＮＣＣ（半導体新世紀委員会）」構想に基づく２００６年度以降の共同研究開発体制を発表した。同構想の基本は、０６年度から１０年度までの５年間にわたる取り組みとして昨年６月に提言されたもの。 〇半導体はシステム機器の競争力を決める中枢。ユビキタスネットワークなどの新しい応用市場の開拓。 〇課題は強い製品戦略の再構築 〇先端ＬＳＩのプロセス技術・設計技術は大きな変革の時代を迎えており、ブレークスルー技術への挑戦が不可避 〇ビジネスモデルの多様化が進み技術ニーズも多様化 〇あすかプロジェクトは０６年３月終了。しかし技術革新の速度は速く、産業界の力を結集することによる先行技術基盤の強化が必要。 〇ＣＭＯＳ技術の限界を控え、国を挙げた技術革新が必要。先端半導体研究開発に対する産学官連携のさらなる強化と研究開発システムの再構築が必要。 90/65ナノメートルＳｏＣプロセス・設計技術の確立に取り組んできた“あすかプロジェクト”が０６年３月に終了することを受け「国を挙げた技術革新への挑戦が必要。 先端半導体研究開発による産学官連携のさらなる強化と研究開発システムの再構築をはかる」（伊藤部会長）（図１）。  〔図1 ２００６年以降（hp45nmノード以降）のプロセス技術課題〕 （１）母体となる研究開発拠点のＳｅｌｅｔｅ（導体先端テクノロジーズ）は０６年４月以降、半導体プロセス開発拠点としてコアカンパニ主導による新プログラムをスタート。また、ＭＩＲＡＩなど国家プログラムとの間で新たな産学官連携システムを構築。 （２）ＳＴＡＲＣは０６年４月以降、半導体設計開発拠点として機能強化。 （３）ＡＳＰＬＡは、３００ミリメートル対応９０ナノメートルの業界標準プロセス開発を計画どおり終了の見込み。６５ナノメートル対応は、９０ナノメートルノードの延長で各社開発。 ◇コンソーシアムのマネジメント方法の変更 従来の１１社共同による共通プログラムに加えて、先端プロセスを志向する企業の主導による先端コアプログラム（参加企業＝コア企業）および融資企業の主導による選択プログラムを創設。 開発スピード向上とニーズ多様化に対応。 新コアカンパニはルネサス テクノロジ、ＮＥＣエレクトロニクス、東芝、富士通の４社を予定。 新Ｓｅｌｅｔｅは06-10年度、カンパニ制によりｈｐ（ハーフピッチ）45/32ナノメートルに対応する新技術候補の実用化研究開発プログラム開始。総開発費は年１００億円（現在の１５０億円規模に相当）、５年間で５００億円を計画。 さらに、新Ｓｅｌｅｔｅは、ＥＵＶのリソ・マスクプロジェクトの一部には40億-50億円程度の国の支援を期待している。 茨城県つくば市には、日本における先端半導体プロセス研究開発の産学官拠点（つくばＲ＆Ｄセンター）を構築する（図２）。  〔図2 ”つくば”における新Ｒ＆Ｄ体制およびプロジェクト〕 また、半導体設計技術の開発拠点としてＳＴＡＲＣ（半導体理工学センター）も新共通設計基盤開発に着手する。 これに要する総開発費は年５０億円、累計２５０億円を計画している（図３）。  〔図3 ＳＴＡＲＣ新プログラム〕 ＜資料：ＪＥＩＴＡ＞
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