ロームは、標準的なＳＯＰ８サイズで業界トップの低ＯＮ抵抗２．４ｍΩ（ＩＤ＝２０Ａ時）を実現したパワーＭＯＳ　ＦＥＴ「ＲＱＷ２５０Ｎ０３」を開発、１１月からサンプル出荷を開始する。サンプル価格は３００円。２００４年１月から当面月１００万個出量産を予定している。
　パワーＭＯＳ　ＦＥＴは、セットの電源部に使用されているが、電子機器の低電圧化により大電流の要求が拡大している。中でももっとも要求の厳しいのがノートパソコンのＣＰＵ電源部で、この部分では１．３Ｖに低出力化が進むとともに、６０Ａ以上もの大電流が求められており、マルチフェーズ化によって同期整流型のＤＣ―ＤＣコンバーターが複数チャンネル使用されている。この同期整流部に使用されるＭＯＳ　ＦＥＴは、低ＯＮ抵抗で低Ｑｇｄが強く求められている。
　新型パワーＭＯＳ　ＦＥＴは、業界最小の低ＯＮ抵抗（従来比５０％減）に加え、Ｑｇｄが１１ｎＣ（従来比２０％減）を達成しており、さらにパッケージパワー３Ｗの高い放熱性を持つ新パッケージを実現している。
　とくにノートパソコンの同期整流型ＤＣ―ＤＣコンバーターでは、１個使い時の電源変換効率が従来のＭＯＳ　ＦＥＴ２個使いの特性を上回る高性能を示している。これにより、従来２素子を並列接続していた回路を１素子に置き換えることが可能になる。
　このＭＯＳ　ＦＥＴはパソコン用だけでなく、超ＯＮ抵抗を求めるあらゆる用途に適しており、各種セットの電源に使用できる。
　　　

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	パワーＭＯＳ　ＦＥＴ「ＲＱＷ２５０Ｎ０３」