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	リセツトIC「SMP5C2」(左)と「EMP5」(右)

　近年、あらゆる電気製品にマイクロコントローラーやＤＳＰなどのデジタル回路が用いられるようになり、製品の高機能化・高性能化が一段と進んできている。
　このような電気製品においては、電源の投入時や立ち下がり時にマイコンやＤＳＰに対してリセットをかけ、システムとしての誤動作を防ぐことが必要となる。また、携帯機器などのバッテリー駆動のセットにおいても電源のＯＮ時（投入時）、ＯＦＦ時（バッテリー電圧低下時）などに、その電源電圧を監視するシステムに対して確実にリセットのコントロールを行う必要がある。このように、信頼性の高いシステム動作を達成するための重要なデバイスとして種々のリセットＩＣが提案されている。
　従来は、ディスクリート部品で構成されていることもあったが、システムの複雑化や、より高い信頼性から高精度が要求されるようになり、あらゆる分野においてこのＩＣが採用されているのが現状となっている。
　また、一部には、マイコンやレギュレーターなどにリセット回路の取り込みもみられるが、最終的なシステムの評価時におけるフレキシビリティやｓｔａｎｄ　ａｌｏｎｅ化による安全性など確保の意味から、単体品の必要性は依然根強い状況である。
　ロームでは、このようなリセットＩＣの分野に対し、ＣＭＯＳ高抵抗プロセス技術（低消費化）、トリミング技術（検出電圧の高精度化）、超小型パッケージ技術（実装面積縮小化）などを用い、市場のニーズに適応したリセットＩＣを開発しており、その紹介を行う。

　マイコン、ＤＳＰの電源電圧精度の要求、また、システムの複雑化に伴い、その電圧を監視するリセットＩＣの検出電圧精度に対する要求も上がってきている。このような検出電圧の高精度化に対し、ロームではレーザートリミング技術を用いて従来電圧精度の±２％において、０．５％精度を高め、業界最高精度の±１．５％を実現している。
　この精度により、複雑で高精度が要求されるなシステムのリセット動作を確実に実現できる。

　超低消費電力化リセットＩＣでの無駄な電力消費は許されない！
　ロームは、この要求に対し、消費電流が少ないディプレッションＭＯＳと電圧検出抵抗に独自ハイインピーダンスプロセスを使用することにより、超低消費電流（０．８μＡ　ｔｙｐ．）を実現している。

　リセットＩＣに要求されるものとして、もう一つ大きな要素にいかに小型化できるかが存在する。本来リセットＩＣはできるだけマイコン、ＤＳＰなどの電源電圧が印加される端子のすぐそばに置くことが望ましく、実装パッケージの小型化が要求されている。また携帯機器、メモリーカードなどについては機器の薄型化に伴い、実装面積の縮小化だけでなく、部品の高さについても配慮が必要になってきている。
　この要求に対し、ロームは小型パッケージのＳＭＰ５Ｃ２に加え、リセットＩＣは世界最小の超小型パッケージのＥＭＰ５パッケージ（面積＜リード含む＞１．６×１．６ｍｍ＝２．５６ｍｍ２　、高さ０．６ｍｍ）を開発した。実装面積では対ＳＭＰ５比約７０％減、高さにおいても半分以下に抑えることができ、小型・薄型セットに最適なものとなっている（図１）。

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	外形寸法図

　リセットＩＣにおいて、遅延時間を設定する方法として以下の３通りの方法が一般的に用いられる。 （１）オープンドレインの出力端子にコンデンサーを接続し、ＣＲによる時定数で設定する方法（ＢＤ４８ＸＸＧ／ＦＶＥシリーズ）。
　出力ＭＯＳ　ＴｒがＯＮからＯＦＦに切り替わることにより、出力端子に接続されているコンデンサーＣｏｕｔは抵抗Ｒｏｕｔを通じて、ＣＲの時定数によって決まる時間で充電される。その電圧がマイコンなどのスレッショルド電圧になるとリセットは解除される。０Ｖからスレッショルドに達するまでの時間が遅延時間となる（図２−１、２−２参照）。 （２）外付けコンデンサー遅延機能付きリセットＩＣで、専用端子（ＣＴ端子）にコンデンサーを接続し、その時定数で設定する方法（ＢＤ５２ＸＸＧ／ＦＶＥ、ＢＤ５３ＸＸＧ／ＦＶＥシリーズ）。
　入力電圧が検出電圧を超えると、ＣＴ端子に接続されているコンデンサーが内部抵抗を通じて充電され、その電圧が内部のスレッショルドに達すると出力端子がＬからＨに切り替わる。この時間が遅延時間となる。
　（１）の方法では、出力端子波形がＣＲの定数によりなまってしまうが、（２）の方法では、出力波形がなまることなく使用することができる。
　ロームは内部抵抗として、独自のハイインピーダンスプロセスを用いることにより外付けコンデンサーへのチャージ電流を少なくすることができ、低容量のコンデンサーで遅延時間を設定することが可能となっている（図３参照）。
　コンデンサーを小さくすることにより実装面積の小型化、コンデンサー値の温特向上、トータルコストダウンを図ることができる（図４−１、４−２参照）。

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		入出力電圧タイミングチャート(BD48xxG/FVEシリーズ)			BD48XXG/FVEブロック図			Reset IC 比較(25℃)
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		入出力電圧タイミングチャート(BD52xxg/FVE,BD53xxg/FVEシリーズ)			BD52XXG/FVEブロック図

　（３）ＩＣ内部に発振器とカウンターの遅延時間を設定する方法（ＢＤ４５ＸＸＸＧ、ＢＤ４６ＸＸＸＧシリーズ）。
　（１）、（２）いずれの方法も外付けにコンデンサーが必要であり、部品点数が増加してしまう。そこで、外付けコンデンサーなしで遅延機能を持たせるものとしてカウンター遅延回路内蔵リセットＩＣがある。
　入力電圧が検出電圧を超えると内部発振器が動作を始める。発振器の信号を内部カウンターでカウントし設定された一定時間になると、出力がＬからＨに切り替わる（カウント数を変更することにより遅延時間を設定できる）。出力が切り替わると同時に発振器を止める。このように、遅延時間を作成する発振器は必要時間以外は動作しておらず低消費を実現している（図５−１、５−２参照）。

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	入出力電圧タイミングチャート			BD45XXG,BD46XXGブロック図

　ロームとして、遅延時間設定方法、プロセス、出力形式などの違いにより以下の４シリーズをラインアップしている。
―ＢＤ４７ｘｘＧシリーズ―
　本シリーズはＢｉｐ　Ｔｒを用いた単純リセットＩＣである。
　（１）パッケージ　　ＳＭＰ５
　（２）検出電圧　　　１．９〜４．６Ｖ（０．１Ｖステップ）
　（３）検出電圧精度　±２％
　（４）消費電流　　　２μＡｔｙｐ．（出力Ｈ時）
　（５）出力形式　　　オープンコレクタ
　（６）最大印加電圧　１０Ｖ
―ＢＤ４８ｘｘＧ／ＦＶＥ、ＢＤ４９ｘｘＧ／ＦＶＥシリーズ―
　本シリーズはＣＭＯＳプロセスを用いた単純リセットＩＣである。
　（１）パッケージ　　ＳＭＰ５Ｃ２＝ＢＤ４８ｘｘＧ、ＢＤ４９ｘｘＧ ＥＭＰ５＝Ｂ
Ｄ４８ｘｘＦＶＢＤ４９ｘｘＦＶＥ
　（２）検出電圧　　　２．３〜６．０Ｖ（０．１Ｖステップ）
　（３）検出電圧精度　±１．５％
　（４）消費電流　　　０．８μＡｔｙｐ．（出力Ｈ時）
　（５）出力形式　　　ＢＤ４８ｘｘＧ／ＦＶＥ＝
オープンドレインＢＤ４９ｘｘＧ／ＦＶＥ− ＣＭＯＳ出力
　（６）最大印加電圧　　１０Ｖ
―ＢＤ５２ｘｘＧ／ＦＶＥ、ＢＤ５３ｘｘＧ／ＦＶＥ―
　本シリーズは、ＣＭＯＳプロセスを用いた外付けコンデンサーによる遅延機能付きリセットＩＣである。
　（１）パッケージ　　ＳＭＰ５Ｃ２＝ＢＤ５２ｘｘＧ、ＢＤ５３ｘｘＧ ＥＭＰ５＝ＢＤ５２ｘｘＦＶＥ、ＢＤ５３ｘｘＦＶＥ
　（２）検出電圧　　　２．３Ｖ〜６．０Ｖ（０．１Ｖステップ）
　（３）検出電圧精度　±１．５％
　（４）消費電流　　　０．９５μＡｔｙｐ．（出力Ｈ時）
　（５）出力形式　　　ＢＤ５２ｘｘＧ／ＦＶＥ＝オープンドレイン ＢＤ５３ｘｘＧ／ＦＶＥ＝ＣＭＯＳ出力
　（６）最大印加電圧　１０Ｖ
―ＢＤ４５ｘｘｘＧ、ＢＤ４６ｘｘｘＧシリーズ―
　本シリーズはＣＭＯＳプロセスを用いた、遅延機能内蔵のリセットＩＣである。内蔵した発振器とカウンター回路により、５０ｍｓ、１００ｍｓ、２００ｍｓの遅延時間を設定。また、外部からの信号により、出力のＨ／Ｌをコントロールできる。
　（１）パッケージ　　ＳＭＰ５Ｃ２ ＥＭＰ５
　（２）検出電圧　　　２．３Ｖ〜４．８Ｖ（０．１Ｖステップ）
　（３）検出電圧精度　±１．５％
　（４）消費電流　　　０．８５μＡｔｙｐ．（出力Ｈ時）
　（５）出力形式　　ＢＤ４５ｘｘｘＧ＝オープンドレイン ＢＤ４６ｘｘｘＧ＝ＣＭＯＳ
　（６）最大印加電圧　１０Ｖ
　（８）強制リセット端子（ＥＲ端子）付き
　（９）遅延時間　　　５０ｍｓ（ＢＤ４５ｘｘ５Ｇシリーズ）
１００ｍｓ（ＢＤ４５ｘｘ１Ｇシリーズ）
２００ｍｓ（ＢＤ４５ｘｘ２Ｇシリーズ）
　このようにロームのリセットＩＣは、あらゆるユーザニーズに対応することが可能である。今後も高精度、低消費電力、小型化というニーズに貢献する製品を幅広く開発していく方針である。