電子機器のモバイル化が進むつれ、携帯電話などの無線機器に起因する自家中毒のような、高い周波数における近傍の電磁界によるＥＭＣが問題とされてきている。これに伴って、ＥＭＣ問題の解析ツールとして用いられている近傍電磁界分布測定においても、高い周波数において高い分解能が要求されている。
　この要求を満足する近傍電磁界分布測定装置を、太陽誘電において開発し、高度なＥＭＣ対策手法の確立や新たな新部開発に利用している。この測定装置は、新たな電磁界センサーを用いており、近傍の電界と磁界の分布を同時に、位相情報も含み、Ｇ￥ＨＺ￥を超える高い周波数においても測定することが可能である。この手法は、今後のＥＭＣ対策に有効な解析ツールとなると考えられる。

　従来のセンサーの構造によって電界と磁界を切り分けて測定するのではなく、後段の演算により電界と磁界を分離して測定することにより、高い周波数まで使用できるセンサーが実現できる。図１にその構造と動作原理を示す。センサーは同軸ケーブルが２本束ねられ、その先にループ状の電磁界検出部がある構造となっている。このループ状の部分が電界と磁界と両方のセンサーとして働く。同軸ケーブルはそれぞれコネクターを介して測定器に接続される。このセンサーの２つの出力（Ａ、Ｂ）を測定し、そのベクトル和とベクトル差を計算することによって、検出部における電界と磁界を分離することができる。これは、電界と磁界による出力方向が異なるためである。
　電界によって、ループと同軸ケーブルのグラウンド間には電位差が生じる。この電位差によりセンサーの２つの出力においては、電界による出力電流(Iｅ）は同じ方向で同じ大きさとなる。ループと交差する磁束によって、ループには磁界による電流(Iｍ)が流れる。この電流は、電界による出力と異なり、出力Ａと出力Ｂでは向きが逆となる。この違いのために、センサーの２つの出力は異なった値を示す。この出力のベクトル和と差によって、出力を分離する。この測定には、出力のベクトル測定が必要となる。このベクトル測定によって測定される電界と磁界はベクトル量となる。 　このセンサーは、多層のプリント基板を用いて構成することも可能である。３層のプリント基板を用いて作製した電磁界センサーの例を図２に示す。

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	電磁界センサー			プリント基板を用いた電磁界センサー

　このセンサーからのベクトル出力をベクトルネットワークアナライザー（ＶＮＡ）を用いて測定することで、受動回路の近傍電磁界分布の測定装置が構成できる（図３）。この測定システムには３ポートのＶＮＡを使用している。ポート１には被測定物であるマイクロストリップラインが接続され、ポート１からの出力によって、このマイクロストリップラインに電磁界を発生させる。
　センサーからの２つの出力は、それぞれポート２、３と接続され、その大きさと位相（Ｓ　２　１、Ｓ　３　１）が測定される。このＳ　２　１と、Ｓ　３　１のベクトル和と差で電界と磁界出力を求める。パソコン（以下ＰＣ）で、測定器とセンサーを走査するアクチュエーターを走査して近傍電磁界分布を測定する。
　この測定装置を用い、測定物をマイクロストリップラインとすることで、８Ｇヘルツまでの、センサーの周波数特性を測定した。 図４の結果が示すように、電界出力、磁界出力とも周波数に比例する特性となっている。このように、高い周波数までこのセンサーは使用可能である。