オン抵抗を40％低減した1200V第4世代SiC MOSFET

ロームの業界トップの 低オン抵抗を実現した第4世代SiC MOSFET

　ロームは、業界トップの低オン抵抗を実現した1200V第4世代SiC　MOSFETを開発した。

　単位面積当たりのオン抵抗を同社従来1200V品より約40％低減。主機インバータの車載パワートレインシステムや産業機器向け電源用の需要に応える。

　6月からベアチップのサンプル出荷を始め、8月以降、TO2473L（3端子）／4L（4端子）などのディスクリートパッケージでサンプル出荷を開始する。

　生産は前工程をラピスセミコンダクタ宮崎（宮崎市）の6インチウエハーラインで行う。

　電界集中を緩和する独自のダブルトレンチ構造をさらに進化させ、短絡耐量時間を犠牲にせずに、オン抵抗と短絡耐量時間のトレードオフ関係を改善。

　同社従来1200V品と比べて単位面積当たりのオン抵抗を約40％低減することに成功した。業界トップの単位面積当たりオン抵抗よりも20‐30％低い。

　また、スイッチング時の課題だった低オン抵抗化や大電流化で増加する寄生容量をゲートドレイン間容量を大幅に削減することで抑え、同社1200V従来品と比べてスイッチング損失を約50％削減した。

　これにより、低オン抵抗と高速スイッチングを兼ね備えた第4世代SiC　MOSFETを開発。車載インバータや各種スイッチング電源など様々なアプリケーションの大幅な小型化、低消費電力化が図れる。

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