オン抵抗を半減し低損失/高速スイッチング実現のSiC　MOSFET

会見の様子。左端が 独現地法人のアンドレ社長。

　【ミュンヘン（独）＝田坂弘明前特派員】ロームは１１日までドイツ・ミュンヘンで開催されたエレクトロニカ２０１６の会場で新製品発表会を開催した。

　新製品の中でも注目を集めたのが第３世代のＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴおよびショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）、モジュール。

　ダブルトレンチ構造を採用した新世代のＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴは、同じチップサイズのプレーナ型ＳｉＣと比べてオン抵抗を５０％、入力静電容量を３５％低減した。低損失かつ高速スイッチング性能により、いまだかつてないパフォーマンスを実現。機器の小型・軽量化、変換効率の向上などに貢献する。

　第３世代のＳｉＣ　ＳＢＤは全ての温度範囲内で業界最高クラスの低電圧、低リーク電流を実現。さらに高サージ電流機能を特徴としており、電源用途に最適だ。

　これらのＳｉＣ技術はこのたびパートナーシップ契約を締結したヴェンチュリー・フォーミュラＥチームに提供される。ＳｉＣパワーデバイスを活用することでマシンの小型・軽量化、高効率化に貢献する。同チームは実際に今年の第３シーズンからＳｉＣ　ＳＢＤをマシンに搭載予定だ。

　クリスチャン・アンドレ独現地法人社長は「電気自動車のフォーミュラカーレースとして注目を集めるフォーミュラＥに、ヴェンチュリーチームの技術パートナーとして協力できることを誇りに思う。技術面からサポートし、チームの勝利に貢献したい」と話す。

　車載外装用ＬＥＤライティングやワイヤレス給電向けのミディアムパワーデザインキットも発表。各種新製品は同社ブースにも展示され、来場者の注目を集めた。