直線性と低ノイズを実現した15デシベルゲイン・ブロック・アンプ

　リニアテクノロジーはＯＩＰ３（出力の３次インターセプト・ポイント）が１５０メガヘルツで４７dBｍの卓越した直線性と３.２２デシベルのノイズ・フィギュアを実現する、広帯域１５デシベルゲイン・ブロック・アンプ「ＬＴＣ６４３３−１５」の販売を開始した。同製品は５Ｖの単一電源で動作し、電源電流は公称９５ｍＡ。このデバイスはマイナス４０−８５度の動作温度範囲で仕様が規定され、４×４ミリメートルのプラスチックＱＦＮパッケージで供給される。

　１千個時の参考単価は性能が保証されたＡグレード・バージョンが４.８９ドルから、Ｂグレード・バージョンが１.８９ドルからで、どちらのバージョンも同社国内販売代理店各社経由で販売される。

　このアンプはＯＰ１デシベル（出力の１デシベル利得圧縮ポイント）が優れており１９.２dBｍ。一般にＧａＡｓまたはｐＨＥＭＴプロセスを使って製造されるほかのゲイン・ブロック・アンプとは似ておらずユニーク。

　従来のＦＥＴ技術は、１／ｆノイズ・コーナー周波数が約２０−３０メガヘルツと高いのでノイズ・フロアが高くなりやすく、低周波数で使用できなかった。これに対してＬＴＣ６４３３−１５アンプのコアは、高周波ＳｉＧｅバイポーラ技術を使って製造されているため、１／ｆノイズ・コーナー周波数がかなり低く、通常１０キロヘルツ未満でノイズの大幅な増加なしに１００キロヘルツまでの低周波数で使用できる。

　さらに、ＧａＡｓおよびｐＨＥＭＴタイプのデバイスの性能は内部ＦＥＴのバイアス電圧に大きく依存し、デバイスごとに大きくばらつく可能性がある。新製品はこれとは異なり、全温度範囲にわたり、またデバイス間で性能が安定しており、電源電圧変動の影響を受けにくくなっている。