オン抵抗を低減し高速化実現のスーパージャンクションMOSFET

「Ｓｕｐｅｒ Ｊ ＭＯＳ Ｓ２／Ｓ２ＦＤシリーズ」

　富士電機は従来品より通電時の抵抗を約２５％、スイッチングオフスピードを約５０％削減したスーパージャンクションＭＯＳＦＥＴの新製品として「Ｓｕｐｅｒ　Ｊ　ＭＯＳ　Ｓ２／Ｓ２ＦＤシリーズ」の販売を開始した。

　ＭＯＳＦＥＴとは、従来のＦＥＴ（電界効果トランジスタ）よりも低オン抵抗を実現可能な半導体。低オン抵抗で能率の高いパワー半導体は、無停電電源装置や電力安定化装置等の産業機器、通信機器、家電製品など、あらゆる電気製品に組み込まれ、省エネや電力供給の安定化を実現するキーデバイスとなっている。

　同社では、従来品よりさらに省エネに貢献できる製品を販売することで、年率１０％を超える成長を見込めるスーパージャンクションＭＯＳＦＥＴ市場の成長を取り込む考え。

　今回発売された製品は、スイッチング速度が標準のＳ２シリーズと高速のＳ２ＦＤの２シリーズ。Ｓ２シリーズはオン抵抗が２５―３８０ｍΩ、定格電流が８―９６Ａ、Ｓ２ＦＤはオン抵抗が２７―１７０ｍΩ、定格電流は１８―９６Ａとなっており、定格電圧はともに６００Ｖとなっている。