内蔵ダイオードの改善により高速化した高耐圧MOSFET

　新電元工業は内蔵ダイオードの改善により高速化した高耐圧ＭＯＳＦＥＴ「Ｈｉ−ＰｏｔＭＯＳシリーズ」を新規ラインアップした。

　環境意識の高まりにより、インバータやモーター、スイッチング電源などの効率向上や低ノイズ化への要求が高まっている。同社では、このニーズに呼応したＭＯＳＦＥＴを量産化してきたが今回、従来品より内蔵のダイオードのｔｒｒ特性を最大８０％低減し、高速化した高耐圧ＭＯＳＦＥＴを開発した。

　内蔵ダイオードのｔｒｒ特性を改善、ハイサイドおよびローサイドの各ブロックで使用することにより、回路全体の効率向上・ノイズ低減化に効果を発揮する。

　インバータ、フルブリッジ、ハーフブリッジ、モーター駆動、照明用などの回路に適する。