車載情報機器のSoC向けリアルタイムで画像処理する内蔵SRAM

　ルネサスエレクトロニクスは自動運転に不可欠なリアルタイムで画像処理する内蔵ＳＲＡＭ（書き込みが可能で記憶保持動作が不要な揮発性メモリー）を開発した。

　今回のチップは、１６ナノ（ナノは１０億分の１）メートルプロセスによる車載情報機器用ＳｏＣ向けデュアルポートタイプの内蔵ＳＲＡＭ。０.７Ｖの定電圧で、６８８ピコ（ピコは１兆分の１）秒の高速動作と世界トップクラスの３.６メガビット／平方ミリメートルの高集積度を実現した。

　カーナビや先進運転支援システム（ＡＤＡＳ）などの自動運転用情報機器は大きな進化を遂げている。処理性能向上の要求は著しく、回路の微細化、集積度の向上、クロック周波数の高速化などの対応だけでは限界があった。

　開発したＳＲＡＭは、車載情報機器用ＳｏＣに搭載する画像バッファメモリーに最適化を図った。

　また、画像を細かく分割し、処理を並列化するアルゴリズムにより性能をさらに向上する必要があり、一般的な内蔵ＳＲＡＭの約２倍のメモリーアクセス性能を実現する必要もあった。同時に読み出し・書き込み動作ができるデュアルポートタイプの内蔵ＳＲＡＭが求められていた。このＳＲＡＭは占有する面積が大きく、消費電力の増大、動作下限電圧マージンの悪化など、様々な課題があった。

　同社は、ＦｉｎＦＥＴ用に最適化したデュアルポートＳＲＡＭ用メモリーセルを採用することで、これらの課題を解決した。

　シングルポートＳＲＡＭ向けに開発したワード線ブースト型アシスト回路技術をこのデュアルポートＳＲＡＭにも適用。低電圧でも安定して高速読み出し・書き込み動作が可能となり、小面積で消費電力を抑えることが可能となった。