ソフトエラー耐性500倍で110ナノプロセスの16/32MビットSRAM

ルネサスの１６／３２メガビットＳＲＡＭ

　ルネサスエレクトロニクスはこのほど、１１０ナノメートルプロセスを採用した１６メガビットＳＲＡＭ「ＲＭＬＶ１６１６Ａシリーズ」と、３２メガビットＳＲＡＭ「ＲＭＷＶ３２１６Ａシリーズ」を発表した。

　同社の低消費電力ＳＲＡＭの主力製品であるＡｄｖａｎｃｅｄ　Ｌｏｗ　Ｐｏｗｅｒ　ＳＲＡＭの新製品。

　課金データやシステムプログラムなど、重要情報が格納されるＳＲＡＭへの高い信頼性が求められるなかで、アルファ線や中性子線の入射によってメモリー情報が失われる「ソフトエラー」への対策が重要視されている。

　両製品は、一般的なフルＣＭＯＳ型メモリーセルに比べて５００倍以上のソフトエラー耐性を持つメモリーセルを採用。待機時電流を同社の従来製品比で２分の１以下に低減しており、バックアップ電池の長寿命化にも貢献可能。

　サンプル価格は、１６メガビット品が１８００円、３２メガビット品が３４００円（いずれも税別）。９月からサンプル出荷、１０月からは量産を順次開始する。