トレンチゲート構造で低オン抵抗実現のSiC-MOSFET

新ブランド「ＲＥＶＯＳＩＣ」としてサンプル 出荷を開始したＳｉＣ―ＭＯＳＦＥＴ

　デンソーはこのたび、高品質ＳｉＣウエハーを用いたパワー素子を「ＲＥＶＯＳＩＣ」としてブランド化し、サンプル出荷を開始した。７日に開幕したシーテックジャパン２０１４で発表され、注目を集めている。

　革新的なＳｉＣ技術で社会に変革を促すことを目指し��ＲＥＶＯＳＩＣ�≠ﾆ名付けた。このＳｉＣ―ＭＯＳＦＥＴは、トレンチゲート構造で低オン抵抗を実現した。

　ＴＯ―２４７パッケージ、あるいはＫＧＤ（Ｋｎｏｗｎ　Ｇｏｏｄ　Ｄｉｅ）で供給。モジュール技術と組み合わせることで、インバータ損失を約４分の１に低減し、高負荷域でも９９％という高いインバータ効率を実現する。

　車載用だけでなく産業用としての採用も見込んでおり、幅広い分野に向けてパワーシステムソリューションを提供する。

　サンプル品は６インチプロセスで製造された。ＲＡＦ法という異方向の結晶成長を繰り返すことで、欠陥低減率９９％以上という高品質なＳｉＣ結晶を成長させる技術を用いて製造。

　低欠陥なウエハーを用いることで高い歩留まりを実現している。

　量産は来年をメドに開始する方針。愛知県内の自社工場での生産を予定しており、量産体制の確立に向け準備を進める。

　同社は長年、ＳｉＣ素子の研究開発に取り組んでおり、トヨタ自動車および豊田中央研究所との共同開発も進めてきた。自動車市場で培った半導体パワー素子の高い性能と信頼性をベースに、幅広い産業の技術革新に貢献する。