120925_01
日付 |
メーカー名 |
製品分類 |
分類 |
用途 |
9月25日 |
120925_01 |
サムスン電子 |
半導体集積回路 |
メモリー |
移動体通信機器用 |
次世代モバイル向け30ナノ級プロセス採用の2GBのDDR3
韓国のサムスン電子はこのほど、次世代モバイル機器向けとして、30ナノメートル級プロセスを使用した2ギガバイト低消費電力DDR3(LPDDR3)メモリーの量産を開始したと発表した。
LPDDR3は、今年5月に半導体技術の標準化団体JEDECにより仕様が公開された次世代モバイルDRAM。
スマートフォンやタブレット端末における高速処理、高解像度ディスプレイ、3Dグラフィクスに不可欠の技術と、サムスンは説明している。
ピン当たりのデータ伝送速度は最大1600メガビット/秒で、現在主流のLPDDR2に比べ、約50%高速化。
またパッケージレベルの伝送速度は最大12.8ギガバイトとなり、スマホやタブレット端末で、フルHD動画コンテンツのリアルタイム再生を可能にする。
サムスンは昨年10月に、業界初の30ナノメートル級プロセスベースの2ギガバイトLPDDR2の生産を開始しており、それからわずか10カ月で、最新のモバイルDRAMチップの量産に着手した。
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