3.06分の1型13メガピクセルのMOSイメージセンサー

　パナソニック　デバイス社（小林俊明社長）は20日、スマートフォン用MOSイメージセンサー市場に参入する、と発表した。11年度デジタルカメラ用が売上げの7―8割を占め、全体で約100億円を売上げたMOSイメージセンサーを今後スマートフォンなどのモバイル分野で伸ばし、MOSイメージセンサー売上高を15年度一気に700億円に拡大する。700億円のうち半分強をスマートフォン用などのモバイル機器向けで占めたい考え。

　第１弾として画素サイズ１.12×1.12マイクロメートル、感度3230el／lx／sec／平方マイクロメートルの業界トップレベルの高感度、従来比２倍の高S/N、高色再現性を実現した3.06分の１型13メガピクセルのMOSイメージセンサー「SmartFSIセンサ」を開発し、１２月から量産を開始。セルを同社従来品より71％縮小しながら、DSCとほぼ変わらない画質が得られる。カメラモジュールもこれまでより約20％薄くできる。

　同社半導体事業グループの小山一弘イメージセンサビジネスユニット長は「DSCで培った高画質MOS技術をさらに進化させてイメージセンサーの成長をけん引するモバイル分野へ参入する。同分野のイメージセンサー市場は15年度まで年率8％の成長が続き、そのうち800万画素以上の高画質市場の成長率は年平均28％伸びるとみている。新製品のSmartFSIセンサは、800万画素以上の市場をターゲットに開発。800万画素以上の市場で、30％のシェアをとっていきたい」と説明する。

　今回のSmartFSIセンサの量産を機に生産もこれまでの自社生産から外部ファウンドリを使った２ファブ化を図り、資産の軽いアセットライト体制で市場変動の激しいモバイル需要に迅速に対応していく。

　同社従来品で最大45ナノメートルのプロセスを最大32ナノメートルに微細化。注入工程を工夫し、広く深いフォトダイオードで光を確実につかみ光電変換効率を上げた。光隔壁（反射鏡）と光導波路で光を制御することで光を究極的に閉じ込め集光する独自の画素構造を進化させ、セルを小型化した。

　これらにより裏面照射型センサーで課題となっている斜め光による混色や混色防止のための遮光膜による集光ロスなどを解決した。また、裏面照射型センサーで必要な製品シリコンウエハーを極薄に削る工程を不要にした。レンズの主光線角度（CRA）も30度から最大40度に広げ、理論的にはカメラモジュールを30％薄型化できる。フルHD30pモード搭載。10ルクスのろうそくの明かりでも明るく写せる。サンプル価格は裏面照射型より2割安い1200円。