パワー・マウント・チップ・サイズ・パッケージのパワーMOSFET

　パナソニック　デバイス社（小林俊明社長）は、新規開発のパワー.マウント.チップ.サイズ.パッケージ（ＰＭＣＰ）を採用したパワーＭＯＳＦＥＴを開発し、１０月から量産を開始する。月産能力３００万個でスタート。拡散工程は砺波、新井の両工場で行い、マレーシア工場で組み立てる。

　スマートフォン、タブレットＰＣ、ノートＰＣなどのモバイル機器の電源ロードスイッチ用に供給する。今回の新製品の発売により、モバイル機器用ＭＯＳＦＥＴでトップメーカーに追いつき、１５年度モバイル機器用ＭＯＳＦＥＴで世界シェア２０％を目指す。

　今後、ＰＭＣＰをダイオードにも採用していく。１２月にまず１Ａ以上のミドルパワー品から量産、１３年度からハイパワー、小信号、小信号超小型品を順次量産する。

　新製品のＰＭＣＰのＭＯＳＦＥＴは、メッキ処理した銅リードフレームにＭＯＳＦＥＴチップを導電性接着剤で接着した新パッケージ構造による基板放熱と気中放熱で、従来のＨＳＳＯ８パッケージに比べ放熱特性を５％向上、実装面積を４６％削減した。ＰＭＣＰはドレイン電流１２Ａで接合温度１００度Ｃ、ＨＳＳＯ８より５度Ｃ放熱特性を向上した。

　また、１１０ナノメートル微細プロセスでセル数をこれまでの２個から４個に増やし、チャネル抵抗を低減。加えてウエハーを従来比３３％薄く削り、基板抵抗を下げ、同一チップ面積時のオン抵抗を従来品に比べ４７％低減した。

　極性Ｐチャネル、ドレイン.ソース電圧マイナス２０Ｖ、パッケージサイズ２.０×２.０×０.３３ミリメートルの「ＦＪ３Ｐ０２１００Ｌ」（ゲート.ソース電圧プラスマイナス８Ｖ、ドレイン電流４.４Ａ、ドレイン.ソースオン抵抗１２.０ｍΩ.ＶＧＳ２.５Ｖ、入力容量３千ｐＦ）と、Ｎチャネル、２４Ｖ、１.８×１.６×０.３３ミリメートルの「ＦＫ３Ｐ０２１１０Ｌ」（プラスマイナス１２Ｖ、３.０Ａ、１２.５ｍΩ.２.５Ｖ、１５００ｐＦ）を１０月から量産する。

　Ｎチャネル、３０Ｖ、２.３×２.５×０.３３ミリメートルの「ＦＫ３Ｐ０３２４０Ｌ」（プラスマイナス２０Ｖ、１４Ａ、３.５ｍΩ.１０Ｖ、１５５０ｐＦ）を１３年３月から量産する。